Marcelo Kubart Blog

Fonte: Geek

Um novo tipo de memória flash que possibilita o armazenamento de mais informações por célula, resultando em uma maior capacidade de armazenamento no mesmo espaço físico, foi criada pela IM Flash Technologies – trata-se de uma joint-venture entre a Intel e a Micron Technology.

Denominada 3bpc (Three Bits per Cell), a tecnologia permite armazenar três bits em uma única célula de memória, contra os dois bits da memória flash atual – um aumento de 50% na capacidade.

A técnica pode ser aplicada aos chips usados em cartões de memória, pendrives e até nos discos de estado sólido (SSDs), que estão começando a ganhar espaço no mercado.

Os chips de memória flash com a tecnologia 3bpc estão sendo produzidos em um processo de 34 nanometros, e atualmente estão em fase de amostragem, com produção em larga escala prevista para se iniciar no final do ano.

Não há previsão oficial da chegada da tecnologia ao mercado, mas especula-se que dispositivos usando essas memórias poderão estar nas prateleiras já no início de 2011.